泓域咨询 /第三代半导体材料项目投资申请报告说明第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两种材料是当下规模化商用最主要的选择。根据谨慎财务估算，项目总投资28172.58万元，其中：建设投资22466.03万元，占项目总投资的79.74%；建设期利息261.94万元，占项目总投资的0.93%；流动资金5444.61万元，占项目总投资的19.33%。项目正常运营每年营业收入63300.00万元，综合总成本费用49449.15万元，净利润10130.01万元，财务内部收益率27.23%，财务净现值18325.30万元，全部投资回收期5.03年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。目
