泓域咨询 /第三代半导体材料项目规划方案报告说明第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两种材料是当下规模化商用最主要的选择。根据谨慎财务估算，项目总投资34281.96万元，其中：建设投资25865.55万元，占项目总投资的75.45%；建设期利息372.78万元，占项目总投资的1.09%；流动资金8043.63万元，占项目总投资的23.46%。项目正常运营每年营业收入70200.00万元，综合总成本费用59188.83万元，净利润8018.14万元，财务内部收益率16.05%，财务净现值1393.98万元，全部投资回收期6.29年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。目录一、 公司简介4二、 项目名称
