泓域咨询 /第三代半导体材料项目汇报申请报告说明第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两种材料是当下规模化商用最主要的选择。根据谨慎财务估算，项目总投资7569.49万元，其中：建设投资6066.58万元，占项目总投资的80.15%；建设期利息156.09万元，占项目总投资的2.06%；流动资金1346.82万元，占项目总投资的17.79%。项目正常运营每年营业收入13800.00万元，综合总成本费用11449.47万元，净利润1717.99万元，财务内部收益率16.61%，财务净现值1333.69万元，全部投资回收期6.43年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析
