磁控溅射镀膜技术的磁控溅射镀膜技术的基本概念与应用基本概念与应用（学习班讲稿）（学习班讲稿）报告人：范垂祯 2004年6月低温实验一、引言 荷能粒子（例如氩离子）轰击固体表面，引起表面各种粒子，如原子、分子或团束从该物体表面逸出的现象称“溅射”。在磁控溅射镀膜中，通常是应用氩气电离产生的正离子轰击固体（靶），溅出的中性原子沉积到基片（工件）上，形成膜层，磁控溅射镀膜具有“低温”和“快速”两大特点。1、溅射镀膜技术是真空镀膜技术中应用最广的正在不断发展的技术之一2、发展概况（1） 1842年Grove发现阴极溅射现象 1877年将二极溅射技术用于镀制反射镜。 二十世纪三十年代采用二极溅射技术镀制金膜作为导电底层 以后出现射频溅射、三极溅射和磁控溅射。2、发展概况（2） 1936年和1940年Penning相继发明圆柱和圆筒磁控溅射阴极。- Penning放电、 Penning规、Penning离子源相继出现 1963年美国贝尔实验室采用10米的连续溅射镀膜装置镀制集成电路的鉭膜，首次实现溅射镀膜产业化。 1970年圆柱磁控溅射阴极获得工业应用2、发展概况（3） 1980年前后,提出脉冲单
