第3章半导体光电检测器件及应用3.1 光敏电阻v 光敏电阻是光电导型器件。v 光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。v 特点：光谱响应范围宽（特别是对于红光和红外辐射）；偏置电压低，工作电流大；动态范围宽，既可测强光，也可测弱光；光电导增益大，灵敏度高；无极性，使用方便；在强光照射下，光电线性度较差光电驰豫时间较长，频率特性较差。光敏电阻 (LDR) 和它的符号：符号3.1.1光敏电阻的结构及其工作原理v光敏电阻结构：在一块均匀光电导体两端加上电极，贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其他绝缘材料基板上，两端接有电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。v工作机理：当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。入射光光敏电阻在 光敏电阻在电路图中的 电路图中的符号 符号本征型和杂质型光敏电阻v 本征型光敏电阻：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度Eg时，激发一个电子空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。v 杂质型光敏电阻：对于型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质电离
