功率二极特性及主要参数功率二极管的基本特性：1静态特性功率二极管的静态特性主要是指其伏安特性功率二极管的伏安特性曲线与普通小功率二极管基本一致，如图1所示。当功率二极管承受的正向电压大到一定值:门槛电压Uth），正向电流才开始明显增加处于稳定导通状态。与正向电流f对应的功率二极管两端的电压Uf，即为其正向电压降。当功率二极管承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。10to20圍正向特性Z/mA20图1二扱管的伏妥特性曲线（1）正向特性死区电压反向特性TOF/jiA当二极管加正向电压（P接电源的正端，N接电源的负端）时，伏安特性曲线分为正向死区和正向导通区两部分。1）正向死区：图1所示OA段，称为正向死区。当加在二极管两端正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），二极管呈现很大的电阻，这一部分区域称为正向特性的死区。随着二极管两端电压不断增大，并超过某一电压时，流过二极管的电流迅速增加，所以称这个电压为门坎电压，有时也称死区电压。在常温下，硅管的门坎电压约为0.5-0.7V锗管
