1、电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章 常用半导体器件1-1 晶体二极管一、 填空题1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数 相等 。N 型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P 型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的开
2、启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。7 在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。8 二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、 稳压二极管 、开关 、 热敏 、 发
3、光 和 光电二极管 等二极管。10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。11、稳压二极管的主要参数有 稳定电压 、 稳定电流 和 动态电阻 。12、图 1-1-1 所示电路中，二极管 V1、V2 均为硅管，当开关 S 与M 相接时，A 点的电位为无法确定 V,当开关 S 与 N 相接时，A 点的电位为 0 V.13 图 1-1-2 所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关 S 打开时，A 点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关 S 闭合时，A 点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。14、图 1-1-3 所示电
4、路中，二极管是理想器件，则流过二极管 V1 的电流为 0.25mA ，流过 V2 的电流为 0.25mA ,输出电压 U0 为 +5V。15、光电二极管的功能是将 光脉冲 信号转换为 电 信号，发光二极管的功能是将电 信号转换为 光 信号。16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于 二极管 挡，将黑表笔插入 com 插孔，接二极管的 负 极；红表笔插入 V, 插孔，接二极管的 正 极，其显示的读数为二极管的 正向压降 。一、 判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（ ）2、P 型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（ ）3、晶体二极管有一个 PN 结，所
5、以有单向导电性。（ ）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（ ）5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（ ）6、将 P 型半导体和 N 型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成 PN 结。（ ）7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（ ）8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（ ）9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN 结就会击穿。（ ）10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（ ）11、用 500 型万用表测试发光二极管，应选 R10K 挡。（ ）三、选择题1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。A增大 B .减小
6、 C. 不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。A .R100 或 R1K B. R 1 C. R10K3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。A. P 型半导体 B. 本征半导体 C、 N 型半导体4、稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。APN 结的单向导电性 B .PN 结的反向击穿特性 C PN 结的正向导通特性5、电路如图 1-1-4 所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V 它们的正向压降均为 0.7V，则输出电压 U0为（ C ）A. 12V B. 5.7V C. 7.7V D.7V 6、在图 1-1-5 所示的
7、电路中，流过二极管的电流 I1、I2 分别是（ D ）。A.I1=8mA , I2=0 B. I1=2mA C. I1=0, I2=6mA D. I1=0, I2=8mA7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。A.大于 B. 小于 C.等于 D.不确定8、电路如图 1-1-6 所示，V 为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。A.导通 B.截止 C.击穿9、上题中，A、B 两端的电压为（ C ）。A.3V B. -3V C.6V D.-6V 10、某二极管反向击穿电压为 140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。A. 280V B. 140V C. 70V D. 40V11、二极管电路如图
8、1-1-7 所示，（1）处于导通状态的二极管是（ A ）。A只有 V1 导通 B只有 V2 导通 CV1、V2 均导通 D V1、V2 均不导通（2）考虑二极管正向压降为 0.7V 时，输出电压 U0 为（ B ）。A-14.3V B-0.7V C-12V D-15V12、P 型半导体中多数载流子是（ D ），N 型半导体中多数载流子是（ C ）。A正离子 B负离子 C自由电子 D.空穴13、用万用表 R10 和 R1K 挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（ C ）。A相同 BR 10 挡的测试值较小 CR 1K 挡的测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不
9、相同，其原因是（ c ）。A二极管的质量差 B万用表不同欧姆档有不同的内阻 C二极管有非线性的伏安特性二、 简答题1、什么是本征半导体？N 型半导体？PN 结？答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。N 型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P 型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。PN 结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成 P 型区，一边形成 N 型半导体。五分析、计算、作图题1、判断图 1-1-8 中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？解：图 a) V 导
10、通，I=5mA图 b) V 截止,I=0图 c) V 导通，I=10mA2、在图 1-1-9 所示电路中，二极管为理想二极管，ui=10sintV, 试画出输出电压波形。3、在图 1-1-10 所示电路中，二极管为硅管，求 A 点电位和流过二极管的电流。4、在图 1-1-11 所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0 是多少？图 1-1-11解： a)V 导通，U0=11.3V b)V 导通，I 0=15-12/3=2mAUR=13=3V UO=UR-15=-12Vc)V 导通 ， UO=0.7V1-2 晶体三极管一、填空题1、三极管有两个 PN 结，分别为 发射结 、 集电结 ，三个电极分别为 发射极 、基极 和 基极 ，三极管按内部结构不同可分为 NPN 和 PNP 型。2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是 发射结 正偏 和 集电结 反偏，电流分配关系是 IE=IC+IB 。3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作 电流控制 元件，工作在输出特性曲线上的 放大 区；在数字电子电路中，晶体三极管通常被用作 开关 元件，工作在输出特性曲线上 区或 饱和 区或 截止 区。4、在一块正常放大电路板上，测得三极管 1、2、3 脚对地电压分别为-10V、-10.2V 、-14V ，则该管为 PNP 型 锗 材料三极管，1 脚是 发射 极，2 脚是 基 极，3 脚是 集电 极。
