场效应管的结构、特性与参数作者：imefan文章来源：本站原创点击数：食1364更新时间：2008-2-4收藏此页一、绝缘栅场效应管(IGFET)1增强型NMOS管2增强型PMOS管N叽衬底在N型衬底上扩散上2个P+区，P型表面加SiO2绝缘层，在二个P+区加铝线引出电极。PMOS与NMOS管的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。3增强型NMOS管的工作原理正常工作时外加电源电压的配置：(1)VGS=0,VDS=0:漏源间是两个背靠背串联的PN结，所以d-s间不可能有电流流过，即iDaQ当VGS0,VDS=O时：d-s之间便开始形成导电沟道。开始形成导电沟道所需的最小电压称为开启电压VGS（th）（习惯上常表示为VT）。沟道形成过程作如下解释：此时,在栅极与衬底之间产生一个垂直电场（方向为由栅极指向衬底），它使漏-源之间的P型硅表面感应出电子层（反型层）使两个N+区沟通，形成N型导电沟道。如果，此时再加上VDS电压，将会产生漏极电流iD。当VGS=O时没有导电沟道，而当VGS增强到VT时才形成
