实验三金属一半导体接触势垒高度的测量00848067微电子系曹宇一、实验目的1. 掌握用电容一电压法测试肖特基势垒高度的方法；2. 利用以上方法测量两种金属在n型硅上的肖特基势垒高度。二、实验原理当一个几亳伏的小的交流电压加到直流反偏压的二极管上时,耗尽层的电容由下式给出:T2眄Vr一罟)其中A一一二极管的结面积，VR一一外加反偏压，Vbi一一结的内建电势，以伏特为单位。上式假设了二极管界面不存在氧化层，n型半导体的施主浓度是均匀的。上公式可以重写为1_2(Vbj_VR罟CP_sqNdA2以丰一W作图，得出一条直线，Nd口【以由斜率求出，势垒高度为bn=V0+Vn+KT/q其中V。为直线在电压轴上的截距，叫为导带有效态密度。三、实验内容和步骤测试频率1MHz,致使可以忽视引线电感的效应。加到被测二极管上的交流电压的幅度一定要小，一般小于50mVo测试后按照实验原理中的公式求出势垒高度。四、实验数据处理金属锋A二50um*100um,利用拟合后的结呆进行计算：其中Nc二2.8*1019cm
