模拟电子技术基础中的常用公式7.1半导体器件基础GS0101由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示:i =I(eVT1)DR(sat)式中，iD为流过二极管的电流，uD。为加在二极管两端的电压，VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比,表示为VT=kT/q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量,q=1.602XIO-19C；k为玻耳兹曼常数，k=1.381X10-23J/K。室温下，可求得VT=26mV。氐吐)是二极管的反向饱和电流。GS0102直流等效电阻RD直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID之比，即DDRD的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。-般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。GS0103交流等效电阻rddrdD
