附录二：译文电化学生长中决定Cu2O晶体结构的因素MatthewJ.SiegfriedandKyoung-ShinChoi摘要：晶体的基本形貌是由其形成习性和分支生长因素决定的。在产生晶体形貌上控制好这些工艺在很大程度上增大合成的自由度。本文给出了一大批用电化学沉积的方法生长的CuO晶体的织构图。更多信息请阅读由K.S.Choi和M.J.2Siegfried发表在Communication的文章，如下。晶体的基本外形由两个生长工艺决定：形成习性和支晶生长。晶体的习性是由晶体的不同晶向平面的表面能的相对顺序决定的。最快的晶体生长方向发生在垂直于具有最高表面能的那个方向。这会导致具有较高能量的面消失或减少，而有较低能量的面会局域的增加。因此，当表面能的相对顺序可以改变时或者沿某个方向的晶体生长有选择的被抑制时，生长习性就可以修正。作为另一种选择，通过扩散效应人们发明了支晶生长法。当晶体在生长时，表面附近的离子或分子被正在生长的晶体消耗，并且在晶体周围形成了同轴扩散场。这会产生多面体晶体的顶点，它会在高浓度区变得更突出，比面心的生长速度更快，进而形成支晶。然而，支
