霍尔效应的应用一、实验目的1. 了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识。2. 学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量并绘制试样的V-I和VI曲线。HSHM3. 确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。二、实验仪器1. THH型霍尔效应实验仪，主要由规格为3.00kGS/A电磁铁、N型半导体硅单晶切薄片式样、样品架、IS和I换向开关、V和V（即V）测量选择开关组成。SMHCTAC2. THH型霍尔效应测试仪，主要由样品工作电流源、励磁电流源和直流数字毫伏表组成。三、实验原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。对于图（l）（a）所示的N型半导体试样，若在X方向的电极D、E上通以电流Is,在Z方向加磁场B,试样中载流子（电子）将受洛仑兹力：则在Y方向即试样A、A电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电霍尔电场。电场的指向取决于试样的导电类型
