碳化硅器件制作关键技术与工艺集成xxx摘要：碳化硅(SiliconCarbide,简称SiC)作为一种宽禁带半导体材料，不但击穿电场强度高、热稳定性好、还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有着广阔的应用前景。本文综述了SiC器件制作过程中关键工艺研究的最新进展，如掺杂、刻蚀、氧化以及欧姆接触，介绍了器件中结终端技术的应用与发展，最后从工艺集成的角度分析了器件制作过程中热学兼容性、力学兼容性以及异质兼容等问题。关键词：碳化硅；器件工艺；结终端技术；工艺集成Abstract:SiliconCarbide(SiC)hasoutstandingpropertiessuchashighsaturatedelectrondriftvelocity,highelectricbreakdownfieldandhighthermalconductivity,andisaverypromisingwidebandgapsemiconductormaterialtofabricatehightemperature,highpowerandhigh
