半导体物理器件原理（期末试题大纲）指导老师：陈建萍一、简答题（共6题，每题4分）。代表试卷已出的题目1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏Fpn结的电容。3、Pn结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。十4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。片7、基区宽度调制效应：随C-E结电压或C-B结电压的变化，中性基区宽度的变化。8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为1时的频率。9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象）10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。DkT11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系：12、扩散电容：正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。013、
