半导体器件物理复习思考题（1）提高半导体的掺杂浓度，p-n结的势垒高度将会增大,p-n结的势垒厚度将会增大如果重掺杂，使半导体达到高度简并时，p-n结的势垒高度将会减小。（增大；减小；不变）（2）当环境温度升高时，p-n结的势垒高度将会减小，p-n结的势垒厚度将会减小,p-n结的正向压降将会减小。（增大；减小；不变）（3）半导体耗尽层就是其中不存在有任何载流子的区域。（任何载流子；任何电荷；任何载流子和任何电荷）（4）线性缓变p-n结的雪崩击穿电压要高于突变p-n结的击穿电压。（高于；低于；等于）（5）同时表征少数载流子的寿命长短和扩散快慢的一个重要参量是扩散长度。（迁移率；扩散系数；扩散长度）（6）决定通过p-n结电流大小的主要因素是少数载流子扩散的浓度梯度（少数载流子扩散的浓度梯度；多数载流子的浓度；载流子的漂移速度；势垒区中的电场）；限制p-n结电流大小的主要区域是势垒区两边的中性扩散区（存在有电场的势垒区；势垒区两边的中性扩散区；势垒区和扩散区以外的中性区）（7）通过p+-n结的电子电流小于空穴电流。（大于；小于；等
