CMOS工艺制备的高压PMOSFET温度特性研究李红征1,2，周川淼2，于宗光2,1(1江南大学信息工程学院，江苏无锡214036；2中国电子科技集团第58研究所，江苏无锡214035)1引言本文采用1.5mP阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的高压PMOSFET,结构如图1。高压PMOSFET采用多晶场板偏置栅(offset-Gate)结构MOS管，采用不对称高压结构，仅在漏端制作漂移区。该结构高压管击穿电压为55V,阈值电压为0.92V,驱动电流为25mA，且不影响与低压CMOS器件的兼容和集成，高压PMOS与常压CMOS的PCM参数如表1。表1高压与常压CMOS的参数HYPMOSV侶-0.93V-552-14.413.2这种高压PMOSFET结构具有如下特点：(1) 在沟道与漏之间加入P-区域作为漏漂移区，P-区域版图由P阱层次和P-场注入层次定义，不需要附加任何工艺，与P阱常压CMOS工艺完全兼容；(2) 高压结构与常压CMOS电路集成在同一芯片上，高压管的阈值电压和常压管相
