DRAM（动态随机访问存储器）对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM的概念，及介绍了SDRAM、DDRSDRAM、DDR2SDRAM、DDR3SDRAM、DDR4SDRAM、DDR5SDRAM、LPDDR、GDDR。DRAMDRAM较其它内存类型的一个优势是它能够以IC（集成电路）上每个内存单元更少的电路实现。DRAM的内存单元基于电容器上贮存的电荷。典型的DRAM单元使用一个电容器及一个或三个FET（场效应晶体管）制成。典型的SRAM（静态随机访问内存）内存单元采取六个FET器件，降低了相同尺寸时每个IC的内存单元数量。与DRAM相比，SRAM使用起来更简便，接口更容易，数据访问时间更快。DRAM核心结构由多个内存单元组成，这些内存单元分成由行和列组成的两维阵列（参见图1）。访问内存单元需要两步。先寻找某个行的地址，然后在选定行中寻找特定列的地址。换句话说，先在DRAMIC内部读取整个行，然后列地址选择DRAMICI/O（输入/输出）针脚要读取或要写入该行的哪一列。DRAM读取具有破坏性，也
