1.介绍AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，由于它强大的性能功能引起广泛的关注。这项技术成为高频大功率应用方面的阈值组成部分，这就需要我们了解影响期间长期稳定性的退化机理。实际应用GaNHEMT在大功率雷达系统将会需要期间在饱和状态下运行，同时接受大型号RF,导致器件经受强电场和强电流密度。例如，坎贝尔和杜普卡发表了截止频率40W单刀双掷GaN（在SiC衬底上生长的）开关器件，栅极偏压为-37V,源漏间距为4pm,与我们在这里要研究的类似。通过一个de（直流）栅极偏压阶梯应力实验，我们可以得到一个偏压使器件在肖特基接触情况下不受强电场的影响，这已经是被一些研究小组详细研究过了的。然而，在这些人的研究中却没有关于在肖特基接触情况下反向直流栅偏压与温度之间的相互影响的知识。在强反向栅偏压阶梯应力实验中，AlGaN/GaNHEMT栅极漏电流看起来稳定的增加，知道达到阈值电压（VCRL）。这时，栅极漏电流急剧增加约1-2个数量级。这种现象是由于逆压电效应的影响。随着电场的增强，在ALGaN层的张应力增加。当张应力达到峰值，并且确信达到阈值电压，由过度机械应力产生的晶格缺陷产生了电子
