MOSFET性能定标第一部分：历史选择AliKhakifirooz,IEEE会员；DimitriA.Antoniadis,IEEE院士摘要：描述MOSFET在饱和状态下从亚阈到强反型的一个简单的分析模型用来推导出一个新的关于晶体管内在转换延迟的公式。上述模型服从测量趋势：在环振荡器上数据比传统的CV/I标准更好。MOSFET性能衡量的历史趋势被检验，并且现在表明沟道中载流子速度的持续增加是提高晶体管测量性能的主要动力。近来应变工程器件中速度和迁移率依赖性研究是基于出版的实验数据和一个提出来以验证这种依赖性的理论。事实表明：虚拟源速度和曾经人们相信的尽管事实是国家最先进的MOSFETs工作在它们极限60%-65%相比依赖于低场迁移率更强烈一些。这些观察将在本文的第二部分用来探索按参数排序的关键器件之间的交换因为尺寸测量的器件性能相称的比例来继续未来高性能CMOS系列。关键词：延迟，迁移率，MOSFET定标，性能，前景，迁移速度。I引言为了继续其历史测量趋势，晶体管性能切合实际的基准是量化技术要求中必不可少的。不同于当前和过去的技术，品质因素（FOMs）的
