MOS器件的特性分析摘要本次实验以型号为2N7000的NMOS，型号为BS250的PMOS的两款器件为测试条件，使用吉士利仪器测出IV曲线与CV曲线,测量出增强型NMOS与增强型PMOS的输出特性曲线，转移特性曲线，栅源电容，栅漏电容。各个测量结果在下文进行一一说明，曲线趋势据符合理论预测。引言过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。早期的集成电路MOSFET制程里，通道长度约在几个微米的等级。但是到了今日的集成电路制程，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。2012年初，Intel开始以22纳米的技术来制造新一代的微处理器，实际的元件通道长度可能比这个数字还小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不断缩小，让集成电路的效能大大提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有著密不可分的关系。本实验是从MOS器件最基本特性入手，但同时这些性质在实际用途有着重要的作用，为我们进一步了解MOS打下较为扎实的基础。实验仪器与方法利用吉士利仪器2602测得的NMOS与PMOS器件的参数及取值范围。NMOS器件2N7000和PMOS器件BS250Vg
