MOS管i-v特性.docx

一、实验目的分析mos晶体管i-v特性分析二、实验要求了解结型场效应管和MOS管的工作原理、特性曲线及主要参数三、实验内容1、MOS器件的结构介绍2、MOS的工作原理3、i-v特性曲线匚net5匚Tv;.，二/d匚二5oIIc兀.net7net!N0tfndlgmiNia/=1.5ugndil=n图1原理图1特性曲线和电流方程;呼断点就迹输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲线转移特性曲线如图1(b)所示，由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区)，此时i几乎不随v而变化，即不同的v所对应的转移特性曲线几乎DDSDS是重合的，所以可用v大于某一数值(vv-V)后的一条转移特性曲线代替饱DSDSGST和区的所有转移特性曲线.i与v的近似关系DGS与结型场效应管相类似。在饱和区内，i与v的近似关系式为DGSGS1)2(v