p阱CMOS芯片制作工艺设计目录一设计参数要求2二设计内容31：PMOS管的器件特性参数设计计算。32：NMOS管参数设计与计算。43：p阱CMOS芯片制作的工艺实施方案；5工艺流程54光刻工艺及流程图（典型接触式曝光工艺流程为例）105：掺杂工艺参数计算；12P阱参杂工艺计算12 PMOS参杂工艺计算13 NMOS参杂工艺计算13三：工艺实施方案14四、参考资料18五：心得体会194一设计参数要求1.特性指标要求：n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压V=0.5V,漏极饱和电流ITnDsatlmA,漏源饱和电压VW3V，漏源击穿电压BV=35V,栅源击DsatDS穿电压BV225V,跨导g2mS,截止频率f3GHz（迁移率GSmmax卩=600cm2/Vs）np沟多晶硅栅MOSFET:阈值电压V=-1V,漏极饱和电流ITpDsatlmA,漏源饱和电压VW3V，漏源击穿电压BV=35V,栅源击DsatDS穿电压BV=25V,跨导g0.5mS,
