方法一：高温恒电场栅氧化层TDDB寿命测试实验样品是N阱MOS栅氧化电容，氧化层厚度为12.5nm，加速寿命试验是在135C的高温下通过施以不同的应力条件进行电路图如图一所示，并联电路中的电阻起限流作用，讲两个同种电容并联然后与外接电阻R串联。在高温恒定电场的加速应力的条件下进行试验，R接在高温箱外，其上的电压可直接用电压表测得并联部分置于高温箱中。所需的温度通过高温箱面板控制设置，电压应力通过电压程控。加上应力后通过测量外接电阻R上的电压V来判断电容是否失效，并记录相应的数据。如果V大于或者等于一定的电压值Vo(即漏电流大于或者等于某个特定值时)可判断与之串联的电容样品中有一个或者几个被击穿。通过在试验中施加不同的负电场以MOS栅图一电容电流Ig大于特定值为失效依据，测量推算各电容在应力条件下的寿命值,对同种应力条件下的样品失效时间进行分布拟合。推导得到：1TFTxexp(EJKT)方法二：斜坡电压法评估栅氧化层TDDB寿命实验样品为1umCMOS硅栅工艺监制的电容，采用HP4062C半导体测试系统给予适当的程序，使系统自
