在整堂课的教学中，刘教师总是让学生带着问题来学习，而问题的设置具有一定的梯度，由浅入深，所提出的问题也很明确薄膜形成 大规模集成电路制造工艺1在整堂课的教学中，刘教师总是让学生带着问题来学习，而问题的设置具有一定的梯度，由浅入深，所提出的问题也很明确硅基材料SiO2与Si之间完美的界面特性是成就硅时代的主要原因。 SiO2：栅绝缘层材料/绝缘/介质材料； Si3N4：介质材料，用作钝化/掩蔽等； 多晶硅：可以掺杂，导电； 金属硅化物：导电，作为接触和互连硅工艺中: 2在整堂课的教学中，刘教师总是让学生带着问题来学习，而问题的设置具有一定的梯度，由浅入深，所提出的问题也很明确SiO2与Si之间界面SiO2Si3在整堂课的教学中，刘教师总是让学生带着问题来学习，而问题的设置具有一定的梯度，由浅入深，所提出的问题也很明确SiO2的基本性质 通常热氧化生长的SiO2是非晶的 熔点：1732 C ( 晶体结构) 质量密度：2.21 g/cm3 原子密度：2.21022 分子/cm3 折射率 n=1.46 相对介电常数 3.94在整堂课的教学中，刘教师总是让学生带着问题来学习，而问题的设置具有一定
