第7章 化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition)微电子工艺 (6)薄膜技术田 丽为深入学习习近平新时代中国特色社会主义思想和党的十九大精神,贯彻全国教育大会精神,充分发挥中小学图书室育人功能第7章 化学气相淀积 (CVD)v 7.1 CVD概述v 7.2 CVD工艺原理v 7.3 CVD工艺方法v 7.4 二氧化硅薄膜的淀积v 7.5 氮化硅薄膜淀积v 7.6 多晶硅薄膜的淀积v 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜为深入学习习近平新时代中国特色社会主义思想和党的十九大精神,贯彻全国教育大会精神,充分发挥中小学图书室育人功能7.1 CVD 概述 v 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD) 是把构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底上淀积薄膜的工艺方法。v 淀积的薄膜是非晶或多晶态，衬底不要求是单晶，只要是具有一定平整度，能经受淀积温度即可。为深入学习习近平新时代中国特色社会主义思想和党的十九大精神,贯彻全国教育大会精神,充分发挥中小学图书室育人功能 CVD 淀积分类
