为深入学习习近平新时代中国特色社会主义思想和党的十九大精神,贯彻全国教育大会精神,充分发挥中小学图书室育人功能HZ2/33Diode半导体器件 常用的有 二极管，三极管，场效应管。半导体三大特性 热敏特性； 光敏特性（即在加热情况下阻值明显下降，导电能力明显加强）； 掺杂特性。PN 结半导体基本概念 在一块纯净的半导体晶片上，采用特殊的掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元素和五价元素。一侧形成P型半导体，另一侧形成N型半导体，如图6.2所示。 在结合面的两侧分别留下了不能移动的正负离子，呈现出一个空间电荷区。这个空间电荷区就称为PN结。 PN结单向导电性正偏（PN）导通，反偏（PN）载止。PN结UI死区电压 硅管0.5V ,锗管0.1V。导通压降: 硅管0.60.7V ,锗管0.20.3V。反向击穿电压UBR伏安特性为深入学习习近平新时代中国特色社会主义思想和党的十九大精神,贯彻全国教育大会精神,充分发挥中小学图书室育人功能HZ2/33Diode二极管二极管的结构如右图所示。1： 二极管的分类。LG二极管按功能分类：1.整流二极管（RectifierDiode）2.开关二极管（Switchi
