微电子器件的可靠性Microelectronics Reliability第五章 热载流子效应微电子器件的可靠性 1 复旦大学材料科学系认识到了贫困户贫困的根本原因，才能开始对症下药，然后药到病除。近年来国家对扶贫工作高度重视，已经展开了“ 精准扶贫” 项目热载流子效应当电场超过100 KV/cm时, 载流子从电场中获 得更多的能量, 载流子的能量和晶格不再保持热平衡, 称这种载流子为热载流子.当载流子具有的额外能量超过禁带宽度的3倍时, 载流子与晶格的碰撞电离成为主要的能量消耗形式之一. 载流子的能量超过Si-SiO2的 势垒高度(3.5 eV)时,载流子 能直接注入或通过隧道效应 进入SiO2 .影响器件性能，这 效 应称为热载流子效应。认识到了贫困户贫困的根本原因，才能开始对症下药，然后药到病除。近年来国家对扶贫工作高度重视，已经展开了“ 精准扶贫” 项目热载流子的器件的影响热载流子对MOS器件和双极型器件的可靠性都有影响，是属于磨损型失效机理。在双极型器件中，热载流子造成击穿电压的弛预，PN极漏电流增加。在MOS器件中，热载流子效应造成MOS晶体管的阈值电压VT、漏极电流IDS
