哈尔滨工业大学半导体物理真题荟萃一.解释下列名词或概念：（20分）1、准费米能级2、小注入条件3、简并半导体4、表面势5、表面反型层6、布里渊区7、本征半导体8、欧姆接触9、平带电压10、表面复合速度二. 分别化出硅、错和碑化稼的能带结构、并指出各自的特点（20分）三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）四、画出pm结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述结势垒区形成的物理过程（20分）五、在一维情况卞，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20分）六、解释下列名词或概念：（20分）1、准费米能级2、小注入条件3、简并半导体4、表面势5、表面反型层6、施主与受主杂质7、本征半导体8、光电导9、深能级杂质10、表面复合速度七、画出n型半导体MIS结构理想CV特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层半导体存在界面态将分别对曲线有和影响？（20分）八、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）九、画出pm结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述结势垒区形成的物理
