场板和场限环终端技术的原理及优化设计摘要：本文分别介绍了场板和场限环以及它们复合使用的结终端保护技术的基础理论知识针对它们各自具有的敏感参数，通过优化和实验仿真实现最优耐高压设计。关键词：结终端技术场板场限环高压功率器件1引言现代功率器件是在一硅片上并联上万个相同的单元组成，各单元间表面电压大致相同，但最外端（终端）单元与衬底间的电压却相差很大。应采取一些措施用以减小表面电场，提高击穿电压。这种技术便称为结终端技术JTT（JunctionTerminationTechnique）【1】.现代硅功率器件一般都采用浅平面结结构，典型的结深值为4-7um。在这么浅的结深下，器件如果没有加任何终端保护措施，击穿电压将要比理想情况下即平行平面结的耐压值低50%【2】。因此结终端保护成为高压器件设计的一项关键性技术。结终端保护技术要解决的问题主要是：采用平面工艺制造的PN结，杂质原子在光刻掩模窗口的边角区经扩散后形成了柱面结和球面结,由于这两个结存在的曲率,导致电场集中,雪崩击穿将首先在这些区域发生，从而使PN结的击穿电压降低。这种效应对浅结深PN结的影响特
