三极管与场效应管的区别场效应管是场效应晶体管(FieldEffectTransistor,FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。普通晶体管(三极管)是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管(FET)是一种电压控制器件(改变其栅源电压就可以改变其漏极电流)，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。三股言2场效应至的国别三顿辭导电机卧J眨用拿于.殳用少冇貝用券予电国洌PhjfN-Ph-p沟试M沟窗裁滴ap二如泅或更丈匸Gm二输入电酢佶TO%*11/10u血枉
