三极管基础知识及测量方法三极管基础知识及测量方法一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小，所以基极电流约为IB=5V/50kQ=0.1mA。如果晶体管的共发射极电流放大系数P=IC/IB=100,集电极电流IC=P*IB=10mA。在500Q的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Q=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=p，实现了双极晶体管的电流放大作用。、金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原|圧网严霸瀧应三損皆理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出上丿导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时，p
