LN7?PELISNY电容，是我们工程师做开关电源设计时都要接触到的一个非常关键的元器件，它对EMI的贡献是相当的大的，但是它是一个较难把控的元器件，原理上并没有那么直观易懂，在EMI传播路径中需要联系到很多的寄生参数才能够去分析。我们都知道开关电源变压器的原副边都跨接了一个Y电容，很多时候这个Y电容必须要，没了它EMI就过不了。此Y电容的摆放位有多种方法，到底怎么接效果才是最好的？在做EMI实验时，往往Y电容对共模干扰的高频段影响比较大，所以我们首先要找到开关电源中的高频干扰源。最常见最熟悉的高频干扰源有两个，以反激为例，一是原边的开关MOS，二是副边的整流二极管，如下图咼频振铃1:MOS管关断时的振荡，咼频振铃2：副边整流二极管关断时的振荡。首先分析一下高频干扰1（原边开关MOS管的干扰），干扰源为Q1,如下图在分析之前说明一下，输出的电解电容在高频的情况下内阻极低可视为两端短路。MOS管Q1的振荡，电压为上正下负，噪声从D出发。第一条通路是从DCmf散热器fCef大地PEN输入电容地f回到S极第二条通路是从DCmf
