e光伏产业链流程及工艺设备11/12器,支架系统,追踪系统,太阳电缆等太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法及半导体器件基本相同,生产的工艺设备也基本相同,但工艺加工精度低于集成电路芯片的制造要求晶体硅太阳能电池的制造工艺流程:(1)切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。(2)清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去3050um。(3)制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。(4)磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.30.5um。(5)周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6)去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。(7)制作上下电极
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