硅工艺加工技术硅工艺加工技术报告人：宁 瑾内容工艺线概况 1单项工艺介绍2Si nMOSFET 器件加工工艺3小结 4工艺线概况v2004 年建立。2 4 英寸硅加工工艺线，加工能力可达1 微米。v 具备完整的硅加工能力，可以制备微电子器件和电路、光电器件以及MEMS 器件。可加工的衬底材料包括Si 、SOI (Silicon on Insulator) 、SOS (Silicon on sapphire) 和SiC 。v 成功制备出SOI 和SOS 抗辐射MOS 器件和电路，Si 基JFET 器件，SiC 基MESFET 器件，SiC 谐振器和滤波器等。Si nMOSFET 器件加工工艺 p-Si栅氧SiO2LPCVD 生长多晶硅nn离子注入形成源漏PECVD SiO2ICP 刻蚀金属淀积Al ，ICP刻蚀形成电极PECVD Si3N4单项工艺介绍v 清洗：C 处理，有机溶剂超声清洗v 光刻v 金属淀积v 干法刻蚀v 高温氧化v LPCVDv PECVDv 离子注入及快速退火v 激光划片清洗工艺v RCA 清洗：H2SO4/H2O2/H2O 1 号清洗液：NH4OH/H2O2/H2O
