化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD) 概念 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition) 气体或蒸气在晶圆表面产生化学反应，并形成固态薄膜的沉积方法.沉积制程气源分子到达晶圆表面 气源分子在表面移动气源分子在表面反应成核作用：岛状物形成沉积制程岛状物成长岛状物成长，横截面图岛状物合并 连续薄膜CVD 制程 APCVD ：常压化学气相沉积法 LPCVD ：低压化学气相沉积法 PECVD ：等离子体增强型化学气相沉积法加热器晶圆N2N2制程气体排气晶圆输送带输送带清洁装置APCVD 反应器示意图常压化学气相沉积法(APCVD) APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产. APCVD易于发生气相反应,沉积速率较快,可超过1000/min,适合沉积厚介质层. 但由于反应速度较快,两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生化学反应而产生生成物颗粒,这些生成物颗粒落在硅片表面,影响硅片表面的薄膜生长过程,比较容易形成粗糙的多孔薄膜,使得薄膜的形貌变差.低压化学气相沉积法(LPCVD)低气压(133.3Pa)下的CVD较长的平均自由路径可减少
