习题八8.1选择正确的答案填入空内。(1)场效应管的漏极电流是由( )的漂移运动形成的。 A.少子 B.多子 C.两种载流子 (2)场效应管是一种( )控制型的电子器件。 A.电流 B.光 C.电压 (3)场效应管是利用外加电压产生的( )来控制漏极电流的大小的。 A.电流 B.电场 C.电压 (4)与双极型晶体管比较,场效应管( )。A.输入电阻小 B.制作工艺复杂 C.放大能力弱(5)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为3mA时,它的低频跨导将( )。A.增大 B.减小 C.不变 (6)某场效应管的转移特性如由题8.1图所示,则该管是( )场效应管 。A.增强型NMOS B.耗尽型NMOS C.耗尽型PMOS 题8.1图VPvGS/ViD/mA(7)当耗尽型场效应管工作于放大区时,
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