研究方向：薄膜材料及器件制备本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受主的补偿对载流子浓度及Hall迁移率的影响。研究生长条件(温度、气氛、压力、溅射功率)对薄膜化学剂量的影响，以及化学剂量对薄膜的表面形貌、物相(晶相)、晶粒尺寸、Hall迁移率、电阻率、载流子浓度的影响，了解薄膜淀积的动力学及化学计量学机理，通过生长条件及淀积后快速热退火条件的优化，在低温条件下分别制备高性能的沟道薄膜材料。2) 电介质性能研究及制备。研究双电层（EDL）的绝缘和失效机理，建立电容和漏电流模型，确定最佳的介质厚度和离子、电子浓度，以提高电容密度，并增强电介质的高场可靠性。研究界面层原子扩散的抑制作用，最大程度抑制低界面层的生长，降低栅漏电。从而制备高电容密度、高可靠性、低漏电流的电介质薄膜。3) 界面特性研究。研究沟道/电介质界面特性，确定界面态及陷阱态密度的分布，分析界面散射及纵向电场引起场效应迁移率退化的
