场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，也分为结型和绝缘栅型 , 但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型 , 简称功率MOSFET。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的 驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于 GTR ，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功 率不超过 10kW 的电力电子装置。目录 场效应晶体管的分类 场效应晶体管的主要参数 场效应晶体管的测试 场效应晶体管的原理 场效应晶体管的应用特点场效应晶体管的分类 场效应晶体管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的MOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体材料的
