TTL门电路 简单小结.doc

以基集b和发射极e之间的发射结作为输入回路。以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路。VON为开启电压。硅三极管的开启电压VON为0.50.7V，锗三极管的开启电压VON为0.20.3V。VBE为输入电压，iB为输入电流。VCE为输出电压，iC为输出电流。集电极电流iC不仅受VCE 影响，还受基极电流iB影响。输出特性曲线分三个区：1、曲线右边的水平部分为放大区（线性区），特点是：iC随iB成正比变化，几乎不受VCE变化的影响。2、靠近纵轴部分为饱和区，特点是：iC不随iB贝塔的比例增加，而是趋向饱和。硅三极管饱和区的VCE值约为0.60.7V，深度饱和状态下的饱和压降在0.2V以下。3、iB的一条输出特性曲线以下的区域为截至区。截止区特点是iC几乎为0.双极型三极管的基本开关电路当VI=0，或者VIVON时，三极管导通状态，输出电压为低电平VOL.硅三极管的深度饱和压降为0.3V， VCE（s