1、1、晶格常数 2.5 的一维晶格，当外 加 102V/m 和 107V/m 电场时 ,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需时间。（ 1=10nm=10-10m） 2、 指出下图中各表示的是什么半导体 ? 3、 如图所示，解释一下 n0T 关系曲线。 、 若费米能 EF=5eV，利用费米分布函数计算在什么温度下电子占据 E=5.5eV 能级的概率为。并计算在该温度下电子分布概率 0.90.1所对应的能量区间。 、两块 n 型硅材料 ,在某一温度 T 时，第一块与第二块的电子密度之比为 n1/n2=e（ e 是自然 对数的底 ） （）如果第一块材料的费米能级在导带底之下 k0T，试求出第二块材料
2、中费米能级的位置； （）求出两块材料中空穴密度之比 p1/p2。 6、 硼的密度分别为 NA1和 NA2(NA1NA2)的两个硅样品，在室温条件下 : （）哪个样品的少子密度低 ? （）哪个样品的 EF 离价带顶近 ? （）如果再掺入少量的磷 (磷的密度 ND NA2)，它们的 EF 如何变化 ? 7、 现有三块半导体硅材料，已知在室温下 ( K)它们的空穴浓度分别为 p01=2.251016cm-3、 p02=1.51010cm-3 、 p03=2.25104cm-3。 （）分别计算这三块材料的电子浓度 n01 、 n02、 n03； （）判别这三块材料的导电类型； （）分别计算这三块材料的
3、费米能级的位置。 、 室温下，本征锗的电阻率为 47cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每 106个锗原子中有一个杂质原子 ,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为 4.41022/cm3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设 n=3600cm2/(Vs)， p=1700cm2/(Vs)且认为不随掺杂而变化 。ni=2.51013cm-3。 、在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度 ND=1014cm-3，受主杂质浓度 NA=71013cm-3， 设室温本 下本征锗 材料 的电阻率为 i=60cm，假设电子和空穴 的迁移率分别为 n=3800cm2/(Vs)，p=1800cm2/
4、(Vs)，若流过样品的电流密度为 52.3mA/cm2，求所施加的电场强度。 、 某 n 型半导体硅，其掺杂浓度 ND=1015cm-3，少子寿命 p=5s，若由于外界作用，使其少子载流子全部被清除 (如反向偏压的 pn 结附近 )，试 求此时电子 -空穴的产生率是多大 (设 ni=1.51010cm-3)？ 、某 p 型半导体 中 的掺杂浓度 NA=1016cm-3，少子寿命 n=10s，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率 g=1018cm-3s ，试计算室温时光照射情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。（设本征载流子浓度 ni=1010cm-3） 、下图为 p 型半导体在光照射前后的三组能带图，问哪一组简图能正确地反映这一变化情况。 、 平衡 pn 结 有什么特点，画出势垒区中载流子飘移运动和扩散运动的方向。 、如图所示， p 型和 n 型半导体材料接触结，试画出热平衡时的能带图，并标出势垒高度和势垒宽度。 、 推导 pn 结自建电动势方程 0 2ln ADDikT NNV qn 、有锗 pn 结，设 p 区的掺杂浓度为 NA， n 区的掺杂浓度为 ND，已知 ND=102NA，而 NA 相当于108个锗原子中有一个受主原子，计算室温下接触电位差 VD。 若 NA 浓度保持不变，而 ND 增加 102倍，试接触电位差的改变。
