模拟电子电路基础答案胡飞跃第四章答案.docx

上传人:h**** 文档编号:1371647 上传时间:2019-02-23 格式:DOCX 页数:13 大小:1.17MB
下载 相关 举报
模拟电子电路基础答案胡飞跃第四章答案.docx_第1页
第1页 / 共13页
模拟电子电路基础答案胡飞跃第四章答案.docx_第2页
第2页 / 共13页
模拟电子电路基础答案胡飞跃第四章答案.docx_第3页
第3页 / 共13页
模拟电子电路基础答案胡飞跃第四章答案.docx_第4页
第4页 / 共13页
模拟电子电路基础答案胡飞跃第四章答案.docx_第5页
第5页 / 共13页
点击查看更多>>
资源描述

1、4.1 简述耗尽型和增强型 MOS 场效应管结构的区别;对于适当的电压偏置( VDS0V,VGSVT),画出 P 沟道增强型 MOS 场效应管,简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区,并简述工作原理。 解:耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道,连通了源区和漏区,也就是说,耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压 VGS产生沟道。 随着 VSG 逐渐增大,栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴,当空穴数量达到一定时,栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度,从而形成了一个“新的 P 型区”,它连接源区和漏区。如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压 DSV

2、 ,那么空穴就会沿着新的 P 型区定向地从源区向漏区移动,从而形成电流,把该电流称为漏极电流,记为 Di 。当 SGv 一定,而 SDv 持续增大时,则相应的 DGv 减小,近漏极端的沟道深度进一步减小,直至 DG tvV ,沟道预夹断,进入饱和区。 电流 Di 不再随 SDv 的变化而变化,而是一个恒定值。 4.2 考虑一个 N 沟道 MOSFET,其 nk = 50A/V2, Vt = 1V,以及 W/L = 10。求下列情况下的漏极电流: ( 1) VGS = 5V且 VDS = 1V; ( 2) VGS = 2V且 VDS = 1.2V; ( 3) VGS = 0.5V且 VDS =

3、0.2V; ( 4) VGS = VDS = 5V。 (1) 根据条件 GS tvV , DS GS tv v V,该场效应管工作在变阻区。 2D n G S t D S D S12Wi k v V v vL =1.75mA (2) 根据条件 GS tvV , DS GS tv v V,该场效应管工作在饱和区。 2D n G S t12 Wi k v VL=0.25mA (3) 根据条件 GS tvV , 该场效应管工作在截止区, D 0i (4) 根据条件 GS tvV , DS GS tv v V,该场效应管工作在饱和区 2D n G S t12 Wi k v VL=4mA 4.3 由实验

4、测得两种场效应管具有如图题 4.1 所示的输出特性曲线,试判断它们的类型,并确定夹断电压或开启电压值。 图题 4.1 图( a) P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型 4.4 一个 NMOS 晶体管有 Vt = 1V。当 VGS = 2V时,求得电阻 rDS为 1k。为了使 rDS = 500,则 VGS为多少?当晶体管的 W 为原 W 的二分之一时,求其相应的电阻值。 解:由题目可知,该晶体管工作在变阻区,则有 D n G S t D SWi k v V vL n G S t1DSDS Dvr iWk v VL 当 1DSrk时,代入上式可得 2n 1Wk mA VL 则 1DSrk时

5、, G S t G SG S t2 10 . 5 2 31k v V V v VmA vVV 当晶体管的 W 为原 W 的二分之一时,当 VGS = 2V时, 2DSrk 当晶体管的 W 为原 W 的二分之一时,当 VGS = 3V时, 1DSrk 4.5 ( 1)画出 P 沟道结型场效应管的基本结构。 ( 2)漏极和源极之间加上适当的偏置,画出 VGS = 0V时的耗尽区,并简述工作原理。 解:( 1) (2) p 型GDSNN耗 尽 层4.6 用欧姆表的两测试棒分别连接 JFET 的漏极和源极,测得阻值为 R1,然后将红棒(接负电压)同时与栅极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为 R1,再将黑棒

6、(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为 R2,且 R2 R1,试确定该场效应管为 N 沟道还是 P 沟道。 解: GS 0v 时,低阻抗, GS 0v 时,高阻抗, 即 GS 0v 时导通,所以该管为 P 沟道 J F ET 。 4.7 在图题 4.2 所示电路中,晶体管 VT1 和 VT2 有 Vt = 1V,工艺互导参数 nk =100A/V2。假定 = 0,求下列情况下 V1、 V2 和 V3 的值: ( 1) (W/L)1 = (W/L)2 = 20; ( 2) (W/L)1 = 1.5(W/L)2 = 20。 图题 4.2 ( 1) 解:因为 (W/L)1 = (W/L)2 =

7、 20; 电路左右完全对称,则 D1 2I 50DIA 则有 1 2 15 2 0 4DV V V I k V 4GD tV V V ,可得该电路两管工作在饱和区。则有: 2D n G S t1 1 . 2 22 GSWI k V V V VL 3 1.22sV V V ( 2) 解:因为 (W/L)1 = 1.5(W/L)2 = 20, 12 1.5DDII,同时 12100DDI I A 可求得: 126 0 , 4 0DDI A I A 则有 115 20 3.8DV V I k V , 225 20 4.2DV V I k V 1 3.8GD tV V V , 2 4.2GD tV V

8、 V 可得该电路两管工作在饱和区。则有: 2D 1 n G S t11 1 .2 4 52 GSWI k V V V VL 3 1.245sV V V 4.8 场效应管放大器如图题 4.3 所示。 nk (W/L)=0.5mA/V2, t 2VV ( 1)计算静态工作点 Q; ( 2)求 Av、 Avs、 Ri 和 Ro。 2图题 4.3 解:( 1) 0GV , 18 18 2GS S D S DV V I R I 考虑到放大器应用中,场效应管应工作在饱和区,则有: 2D n G S t12 WI k V VL 代入上式可得: 2DD17 64 0II 解得 D1 11.35mAI , D2

9、 5.65mAI ,当 D1 11.35mAI 时场效应管截止。 因此, D D 25 .6 5 m AII , GS 18 11. 3 6. 7 VV , D 18 2 5.6 5 6.7VV ,DS 6. 7 ( 6. 7 ) 13. 4VV (2) Dm OV2 11.3 2.44.7Ig m sV , 忽略厄尔利效应 ov m D Li / / 4 .3 6vA g R Rv iiGi 100vR R ki iv s vi sig 3 .9 6RAARR oD2R R k 4.9 图题 4.4 所示电路中 FET 的 t 1VV ,静态时 IDQ = 0.64mA, nk (W/L)=

10、0.5mA/V2 求: ( 1)源极电阻 R 应选多大? ( 2)电压放大倍数 Av、输入电阻 Ri、输出电阻 Ro; ( 3)若 C3 虚焊开路,则 Av、 Ri、 Ro 为多少? 图题 4.4 解:( 1)G 1001 8 6 V2 0 0 1 0 0V 2D n G S t1 2 .62 GSWI k V V V VL 2.4 VS G GSV V V 3.75SDQVRkI (2) Dm OV2 0.8Ig msV, 忽略厄尔利效应 ov m D Li / / 4 .8vA g R Rv iiGi (1 0 0 2 0 0 ) 1 0vR R k k Mi oD10R R k ( 3)

11、 m D Lov im/1g R RvA v g R =1.2 iiGi (1 0 0 2 0 0 ) 1 0vR R k k Mi oD10R R k 4.10 共源放大电路如图题 4.5 所示,已知 MOSFET 的 nCoxW/2L = 0.25mA/V2, t 2VV ,o 80kr ,各电容对信号可视为短路,试求: ( 1)静态 IDQ、 VGSQ 和 VDSQ; ( 2) Av、 Ri 和 Ro。 2Vss(-30V) 图题 4.5 解:( 1) 0GV , 30 30 2G S S D S DV V I R I 考虑到放大器应用中,场效应管应工作在饱和区,则有: 2D n G S

12、 t12 WI k V VL 代入上式可得: 2DD29 196 0II 解得 D1 18.25mAI , D2 10.75mAI ,当 D1 18.25mAI 时场效应管截止。 因此, D D 210. 75m AII , GS 3 0 2 * 1 0 .7 5 8 .5 VV , D 30 2 10. 75 8.5VV ,DS 8.5 ( 8.5 ) 17VV (2) Dm OV2 11.3 3.34.7Ig m sV , 忽略厄尔利效应 m D Lovim/ 0 .8 71g R RvA v g R iiGi 1vR R Mi oD2R R k 4.11 对于图题 4.6 所示的固定偏置

13、电路: ( 1)用数学方法确定 IDQ 和 VGSQ; ( 2)求 VS、 VD、 VG 的值。 Vt图题 4.6 解:( 1) 3VGSV 假设该 JFET 工作在饱和区,则有 2GSD D S S t1 1 .1DVI I I m AV (2) 0VSV , 1 6 2 .2 1 3 .5 8DDV I V , 3VGV 4.12 对于图题 4.7 所示的分压偏置电路 , VD=9V,求: ( 1) ID; ( 2) VS 和 VDS; ( 3) VG 和 VGS。 Vt图题 4.7 G 1 102 0 2 .1 6 V1 10 91 0V , G S G S D2.16 1.1V V V

14、 I 2GSD D S St1 3 . 3 1 8 . 0 1 (DVI I I m A m AV 或 舍 去 ) 则 G S G S D2.16 1.1V V V I =-1.48V, 则 D1.1 3.64SV I V D S S ( 20 2. 2 ) 3. 64 9. 07DDV V V I V 4.13 如图题 4.8 所示,求该放大器电路的小信号电压增益、输入电阻和最大允许输入信号。该晶体管有 Vt = 1.5V, nk (W/L)=0.25mA/V2, VA = 50A。假定耦合电容足够大使得在所关注的信号频率上相当于短路。 图题 4.8 iRsigv Ovii gsv gsm

15、vg LR DRor解: 等效电路如图所示 GS D15 10DS DV V V I 2D n G S t1 1 . 0 6 1 . 7 2 (2 DWI k V V I m A m AL 或 舍 去 ) 则 GS 4.4DV V V Dm OV2 0.725Ig msV 因 10GRM, 其上的交流电流可以忽略,则 ov m D Li / / / / 3 . 3ovA g r R Rv 为了计算输入电阻,先考虑输入电流(此处也可用密勒定理), 1 4 .3o i i o ii G G i Gv v v v vi R R v R ii i 2.334.3GRvRMi 最大允许输入信号需根据场效

16、应管工作在饱和区条件来确定, 即 DS GS tv v V, 即 min) (max)DS GS tv v V( 0.34DS v i GS i t iV A v V v V v V 4.14 考虑图题 4.9 所示的 FET 放大器,其中, Vt = 2V, nk (W/L)=1mA/V2, VGS = 4V, VDD = 10V,以及 RD=3.6k。 ( 1)求直流分量 ID 和 VD; ( 2)计算偏置点处的 gm值; ( 3)计算电压增益值 Av; ( 4)如果该 MOSFET 有 = 0.01V1,求偏置点处的 ro 以及计算源电压增益 Avs。 图题 4.9 解:( 1) 2D

17、n G S t1 22 DWI k V V I m AL 则 2.8D D D D DV V I R V ( 2)Dm OV2 2Ig msV( 3) ov m Di 7.2vA g Rv ( 4)o D1 50rkI iv s vi s ig / / 7 . 2m D oRA A g R rRR 4.15 图题 4.10 所示为分压式偏置电路,该晶体管有 Vt = 1V, nk (W/L)=2mA/V2。 ( 1)求 ID、 VGS; ( 2)如果 VA = 100V,求 g m和 ro; ( 3)假设对于信号频率所有的电容相当于短路,画出该放大器完整的小信号等效电路; ( 4)求 Ri、

18、Ro、 vo/vgs 以及 vo/vsig。 图题 4.10 解:( 1)假设该电路工作在饱和区,则有 G 515 5V10 5V , G S G S D53V V V I 2D n G S t1 12 DWI k V V I m AL , 则 G S G S D5 3 2V V V I V (2) Dm OV2 2Ig m sV,o D 100AVrkI (3) iRsigv OviviioRgsv gsm vg0gi 10 k sigR or10 M 5 M 7.5 k ( 4) ii G 1 G 2 Gi / / 3 . 3 3vR R R R Mi sigLto o D0t / / 1

19、00 / / 7.5 7vRvR r R k k ki oov m o D Li/ / / / 8 . 2gsvvA g r R Rvv Giv v m o D Li s i g G s i g/ / / / 2 . 0 3os i gvRRG A g r R Rv R R R R 4.16 设计图题 4.11 所示 P 沟道 EMOSFET 电路中的 RS、 RD。要求器件工作在饱和区,且ID = 0.5mA, VDS = 1.5V, G 2VV 。已知 pCoxW/(2L) = 0.5mA/V2, Vt = 1V,设 = 0。 ( 5 )DDVVSDR2GRG ov图题 4.11 解: 2

20、D n G S t1 22 GSWI k V V V VL SG 4GSV V V V 5DS SDD DDVVVRkII 2DD SS DVVRkI 4.17 在图题 4.12 电路中, NMOS 晶体管有 |Vt | = 0.9V, VA = 50A, nk (W/L)=0.25mA/V2 并且工作在 VD = 2V。电压增益 vo/vi 为多少?假设电流源内阻为 50k,求 iR 、 oR 。 图题 4.12 解:iRsigv OvioRgsv gsm vg LR DRor由电路结构可知,该场效应管工作在饱和模式 AG D DV =V =2V,I =I=500 2 2 * 5 0 0 0

21、 .9 1 / , 1 0 0 k2 0 .9DAmoO V DIVAg m A V rVI 因 10GRM, 其上的交流电流可以忽略,则 ov m Li / / 8.2 7ovA g r Rv sigLtoo0t / / 50k / / 33GvRvR r R ki 为了计算输入电阻,先考虑输入电流(此处也可用密勒定理), 1 9 .2 7o i i o ii G G i Gv v v v vi R R v R ii i 1 .0 89 .2 7GRvRMi 4.18 对于图题 4.13 所示的共栅极电路, 2/mg mA V : ( 1)确定 Av 和 Gv; ( 2) RL 变为 2.2k,计算 Av 和 Avs,并说明 RL 的变化对电压增益有何影响; ( 3) Rsig 变为 0.5k( RL 为 4.7k),计算 Av 和 Avs,说明 Rsig 的变化对电压增益有何影响。

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 教育教学资料库 > 试题真题

Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved

工信部备案号浙ICP备20026746号-2  

公安局备案号:浙公网安备33038302330469号

本站为C2C交文档易平台,即用户上传的文档直接卖给下载用户,本站只是网络服务中间平台,所有原创文档下载所得归上传人所有,若您发现上传作品侵犯了您的权利,请立刻联系网站客服并提供证据,平台将在3个工作日内予以改正。