一、 工程概况#本部研发中心主楼为6层，裙楼为2层，均为框架结构，采用天然地基。裙楼下设有一层地下室。拟建场地位于#高新区工业区#路与滨河路交叉西南侧,属#积平原地貌形态单元。场地东侧围墙外为滨河路，北侧为何山路，西侧为#内河道，南侧为学校教工宿舍。本工程0.000=3.65m（黄海标高），室外地面标高为3.2m（黄海），相当于0.000为-0.45m，一层地下室板顶标高为-3.90m，底板厚300mm；，考虑垫层100mm，所以基坑大面积开挖深度为3.85m。根据周围环境和开挖深度，本基坑为三级基坑。工程周边环境具体情况如下：东侧：基坑东侧为滨河路，地下室边线距红线距离约15.00米。南侧：基坑南侧为拟建6层主楼，本基坑开挖时主楼基础同时施工（1-C轴线上基础待基坑回填后施工），独立基础距开挖边线最近处大约为7.5米。西侧：西侧为#内河道，距基坑开挖边线20米。北侧：基坑北侧为#新区主干道何山路，道路下埋有众多管道、管线，地下室边线距路边约15米。详见总平面图、基础结构平面图基坑周边超载规定：根据本工
