Fundamental of Electronic TechnologyCTGU14.1 BJT4.2 基本共射极放大电路4.3 放大电路的分析方法4.4 放大电路静态工作点的稳定问题4.7 放大电路的频率响应4.5 共集电极放大电路和共基极放大 电路2 4.1 BJT4.1.1 BJT的结构简介4.1.2 BJT的电流分配与放大原理4.1.3 BJT的特性曲线4.1.4 BJT的主要参数34.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B 或b表示（Base ） 发射极，用E 或e表示（Emitter ）；集电极，用C 或c表示（Collector ）。 发射区集电区基区三极管符号4 结构特点： 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图54.1.2 BJT的电流分配与放大原理1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条
