模拟电子技术第一章习题答案.doc

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1、部分习题答案,简单的没有。 1-1 1-2 50 10 A 20 80 10 20 32.25 80 108 1-4 uI= 10sint (V) RL=1k iD uD uO + uD-RL(a)+uD-iD+uI-uI/Vt010iD/mAt100t0uI/V-10uo/Vt100 1-5 IZ rZ U rZ IZ U 1-6 20 , 5 mA UZ=10V rZ=8 U=0.09%/ , 20 mA UZ 5 mA 50 UZ 3()18.2ZIrV10.2.U 09%(50).7UT.7.Z 1-7 U = 10V R = 200RL=1k UZ= 6V IZ = U 12V IZ

2、 U 10V RL 2k IZ RL+U- VDZRIZ : 6LZRImA2014LZRIIA 3U30624LZRIImA LZRImA17L 1-8 6V 0.7V +-+-+-(1) 12V (1) 6.7V (1) 1.4V 1-10 IC1 IE1 IE2=1mA IC2 IB2 9?10BIA2.952? : 10.1BIA 11.9,CEImAI 221EIm 220.95,50CBII 1-12 PNP P1-12(a) (b) ICEO PNP uBE uBC NPN ICEO=0.5mA 0.2V PNP uBE0 NPN uBE0 uBC0 uBC0 uBC0 uBE0

3、 uBE0 uBC0 +5V0V+0.7V(a)+12V+12V+2V(b)0V-6V-5.3V(c)+10.3V+10V+10.75V(d) -5V0V+0.3V(e)+4.7V+5V+4.7V(f)-10V-1V-1.3V(g)+8V+12V+11.7V(h) 1-15 P1-15 e b c NPN PNP 1(+3V) 2(+9V) 3(+3.2V)(a)1(-11V) 2(-6V) 3(-6.7V)(a) (a)1 e 3 b 2 c NPN (b)2 e 3 b 1 c PNP 1-16 N MOS P1-16 uDS=15V UGS(th) IDO uDS=15V uGS=4V gmuDS=15V UGS(th)=2V IDO=2.5mA41.83DmSigSu 1-17 P1-17 P N UGS(off) IDSS UGS(th)(a) N (b) P (c) N (d) P 1-18 N MOS UGS(th) = +3V IDO=4mA 1-19 P MOS IDSS= -2.5mA UGS(off)=4V 1-18 1-19

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