CMOS与TTL电路的区别.doc

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一、CMOS与TTL电路的区别 1.CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路) 2.COMS的逻辑电平范围比较大(515V),TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差 4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(15mA/门) 5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当6.CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大7.通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大,工作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越 好(一般约为几十皮(10-12)焦耳)。与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原

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