5.10 用16K1位的DRAM芯片组成64K8位存储器，要求：(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。(2) 设存储器读/写周期为0.5S, CPU在1S内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？（1）组建存储器共需DRAM芯片数N=（64K*8）/（16K*1）=4*8（片）。每8片组成16K8位的存储区， A13A0作为片内地址，用A15、A14经2:4译码器产生片选信号 ，逻辑框图如下（图有误：应该每组8片，每片数据线为1根）（2）设16K8位存储芯片的阵列结构为128行128列，刷新周期为2ms。因为刷新每行需0.5S，则两次（行）刷新的最大时间间隔应小于：为保证在每个1S内都留出0.5S给CPU访问内存，因此该DRAM适合采用分散式或异步式刷新方式，而不能采用集中式刷新方式。l 若采用分散刷新方式，则每个存储器读/写周期可视为1S，前0.5S用于读写，后0.5S用于刷新。相当于每1S刷新一行，刷完一遍需要1281S128
