第一章 半导体器件1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N型半导体、P型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN结：PN结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN结的本质、PN结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN结导电能力的影响；5、PN结的伏安特性：，当T=300K时，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN结的电容效应：势垒电容CT、扩散电容CD，PN结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：，正向特性：死区开启电压Uth=0.5V（Si）、0.1V（Ge），正向导通电压UD(on)=0.7V（Si）、0.2V（Ge），反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：、；5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压
