掌握熟悉了解第一章 半导体物理基础一、能带理论1、能带的形成、结构：导带、价带、禁带 当原子结合成晶体时，原子最外层的价电子实际上是被晶体中所有原子所共有，称为共有化。 共有化导致电子的能量状态发生变化，产生了密集能级组成的准连续能带-能级分裂 价带：绝对0度条件下被电子填充的能量最高的能带；结合成共价键的电子填充的能带。 导带：绝对0度条件下未被电子填充的能量最低的能带2、导体、半导体、绝缘体的能带结构特点 禁带的宽度区别了绝缘体和半导体；而禁带的有无是导体和半导体、绝缘体之间的区别；绝缘体是相对的，不存在绝对的绝缘体。3、导电的前提：不满带的存在二、掺杂半导体1、两种掺杂半导体的能级结构。2、杂质补偿的概念三、载流子统计分布1、费米函数、费米能级：公式1-7-9和1-7-10，及其简化公式1-7-11和1-7-122、质量作用定律，只用于本征半导体：公式1-7-273、用费米能级表示的载流子浓度：公式1-7-28和1-7-294、杂质饱和电离的概念（本征激发）5、杂质半导体费米
