南 京 信 息 职 业 技 术 学 院 试 卷 2009/ 2010学年第_一_学期期末考试卷A 课程名称: 集成电路原理 考试时间:100分钟命题人 董西英 2009 年 12月 26 日审批人 年 月 日使用班级: 30831P P 考试成绩: 。题号一二三四五六总分阅卷人得分一 填空(每空一分,共20分)1、 集成度提高的三个主要技术因素是( ),( )及芯片集成效率结构和工艺设计改进提高。2、 双极型半导体IC以( )作为有源器件,MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为( )工艺。3、 互补MOS逻辑集成电路由下拉网络和上拉网络组成,其中上拉网络为( )
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