第三代半导体面-SiC(碳化硅)器件及其应用在半导体工业中，人们习惯地把锗（）、硅（）为代表的元素半导体材料称为第一代半导体材料，把砷化镓（）、磷化铟（）为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料，而把碳化硅（）、氮化镓（）为代表的化合物半导体材料称为第三代半导体材料，由于和材料的禁带宽度较、等材料更宽，因而它们一般具有高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频及大功率器件，故称这类材料为宽禁带半导体材料，也称高温半导体材料。它们在微电子和光电子领域中具有十分广阔的应用潜在优势, 宽禁带半导体材料（Eg大于或等于3.2ev）被称为第三代半导体材料。主要包括金刚石、SiC、GaN等。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有禁带宽度大，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点，其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景，非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。作为一种新型的半导体材料，SiC以其优良的物理化学特性和电特性
